20 / 32 · 理解測驗
檢核:不一致的電晶體偏壓
繼續之前,檢查模型、計算與解讀。
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教學 NMOS 模型的 VT = 1 V、k = 2 mA/V²。VGS 為 2 V、源極接地、電源為 5 V,汲極電阻為 4.7 kΩ。先使用飽和方程式,再測試工作區條件。目標是在將數字視為結果之前找出模型錯誤。
飽和方程式預測 ID = 1 mA、VDS = 0.3 V 後,應如何處理?
飽和條件為 VDS ≥ VGS − VT = 1 V。預測 VDS = 0.3 V 違反此條件。只有 VGS 超過臨界值不足以證明飽和;β 是前一課使用的 BJT 參數。
✓ 理解測驗已完成