BJT 偏壓為小訊號保留空間

先偏壓，後訊號

雙極性接面電晶體可放大直流工作點附近的小變化。NPN 在順向主動區時，使用 $I_C\approx\beta I_B$ 與所選 $V_{BE}$ 近似。β 與 VBE 都不是精確常數。飽和與截止是不同工作區，因此使用主動區模型後必須檢查電壓。

考慮刻意理想化的 5 V 電路：基極由理想 1.7 V 電源維持，射極經 1 kΩ 電阻接地，集極經 2 kΩ 電阻接至 5 V。假設 VBE = 0.7 V、β = 100。射極電壓為 1 V，射極電流為 1 mA。集極電流為射極電流的 β/(β+1)，也就是 0.990099 mA。集極電壓為 3.019802 V，VCE 為 2.019802 V。

在工作點附近線性化

以室溫近似 VT = 25.85 mV，跨導 $g_m=I_C/V_T$ 為 38.3017 mS。其倒數約為 26.1085 Ω。忽略電晶體輸出電阻，並以很大的 β 做簡單小訊號估計時，未旁路的射極電阻產生增益 $-R_C/(R_E+1/g_m)$，約為 −1.9491。

因此，10 mV 峰值的基極訊號，會產生約 19.49 mV 峰值、反相的集極變化。小訊號估計是局部的；振幅增加至電晶體截止或飽和時，線性模型便失效。射極電阻降低增益，卻讓行為較不依賴 β 與原始接面特性。

基極電源有影響

理想基極電源可提供約 9.90 μA 基極電流而不下降。實際電阻分壓器不能假設為理想。以戴維寧電壓與電阻取代，納入基極電流，再求一次直流工作點。耦合與旁路電容也具有頻率相依效應。

分別記錄偏壓點與訊號增益，並說明哪些近似產生各個數字。教科書電晶體估計不等於經驗證的元件模型，也不保證實體放大器設計。