20 / 32 · 测验
检查:不一致的晶体管偏置
继续前,检查模型、计算和解释。
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教学 NMOS 模型的 VT = 1 V,k = 2 mA/V²。VGS 为 2 V,源极接地,电源 5 V,漏极电阻 4.7 kΩ。先使用饱和方程,再检查工作区条件。目标是在把数值当作结果之前发现模型错误。
饱和方程预测 ID = 1 mA、VDS = 0.3 V 后,应怎样处理?
饱和条件为 VDS ≥ VGS − VT = 1 V。预测的 VDS = 0.3 V 违反条件。VGS 高于阈值本身不能证明饱和;β 是上一课使用的 BJT 参数。
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