BJT 偏置为小信号留出空间

先偏置，再加信号

双极型晶体管可以放大直流工作点附近的小变化。NPN 在正向放大区工作时，使用 $I_C\approx\beta I_B$ 和选定的 $V_{BE}$ 近似。β 和 VBE 都不是精确常数。饱和和截止是不同工作区，因此使用放大区模型后应检查电压。

考虑有意理想化的 5 V 电路：基极由理想 1.7 V 电源保持，发射极通过 1 kΩ 接地，集电极通过 2 kΩ 接 5 V。假定 VBE = 0.7 V、β = 100。发射极电压为 1 V，发射极电流为 1 mA。集电极电流为发射极电流的 β/(β+1) 倍，即 0.990099 mA。集电极电压为 3.019802 V，VCE 为 2.019802 V。

在工作点附近线性化

采用室温近似 VT = 25.85 mV，跨导 $g_m=I_C/V_T$ 为 38.3017 mS。其倒数约为 26.1085 Ω。忽略晶体管输出电阻，并在简单小信号估计中取较大 β，未旁路的发射极电阻使增益为 $-R_C/(R_E+1/g_m)$，约 −1.9491。

因此，10 mV 峰值基极信号产生约 19.49 mV 峰值、反相的集电极变化。小信号估计是局部的；增加幅度使晶体管进入截止或饱和，会破坏线性模型。发射极电阻降低增益，但减弱了对 β 和原始结特性的依赖。

基极电源很重要

理想基极源可提供约 9.90 μA 基极电流而不下降。真实电阻分压器不能假定理想。应以戴维南电压和电阻替代它，包含基极电流，并重新求直流工作点。耦合和旁路电容也具有频率相关效应。

分别记录偏置点和信号增益，明确每个数值使用哪些近似。教科书晶体管估计不是经过资格确认的器件模型，也不是保证可用的实体放大器设计。