BJT बायस छोटे संकेत के लिए जगह बनाता है

पहले बायस,फिर संकेत

बाइपोलर जंक्शन ट्रांज़िस्टर DC बिंदु के आसपास छोटे बदलाव बढ़ा सकता है। अग्र-सक्रिय NPN में $I_C\approx\beta I_B$ और चुना $V_{BE}$ सन्निकटन लें। β या VBE सटीक स्थिर नहीं। संतृप्ति और कटऑफ़ अलग क्षेत्र हैं,इसलिए सक्रिय मॉडल के बाद वोल्टेज जाँचें।

जानबूझकर आदर्श 5 V सर्किट लें:बेस आदर्श 1.7 V स्रोत पर,एमिटर से ग्राउंड 1 kΩ,कलेक्टर से 5 V तक 2 kΩ। VBE = 0.7 V,β = 100। एमिटर 1 V,धारा 1 mA। कलेक्टर धारा एमिटर की β/(β+1),0.990099 mA। कलेक्टर 3.019802 V और VCE,2.019802 V।

बिंदु के पास रैखिक करें

कमरे के तापमान सन्निकटन VT = 25.85 mV में ट्रांसकंडक्टेंस $g_m=I_C/V_T$,38.3017 mS है। उलटा लगभग 26.1085 Ω। आउटपुट प्रतिरोध छोड़कर और β बड़ा मानकर बिना बायपास एमिटर प्रतिरोध का गेन $-R_C/(R_E+1/g_m)$,लगभग −1.9491।

10 mV पीक बेस संकेत लगभग 19.49 mV पीक उलटा कलेक्टर बदलाव देता है। यह स्थानीय सन्निकटन;कटऑफ़ या संतृप्ति तक आयाम बढ़ाना रैखिक मॉडल तोड़ता है। एमिटर प्रतिरोध गेन घटाता है लेकिन β और मूल जंक्शन लक्षण की निर्भरता घटाता है।

बेस स्रोत महत्वपूर्ण है

आदर्श बेस स्रोत लगभग 9.90 μA बिना गिरावट देता है। वास्तविक प्रतिरोध विभाजक आदर्श नहीं मान सकते। थेवेनिन वोल्टेज और प्रतिरोध से बदलें,बेस धारा शामिल करें और DC बिंदु फिर हल करें। कपलिंग तथा बायपास संधारित्र भी आवृत्ति-निर्भर हैं।

बायस और संकेत गेन अलग लिखें तथा हर संख्या की धारणाएँ बताएँ। पाठ्यपुस्तक अनुमान योग्य उपकरण मॉडल या सुनिश्चित भौतिक एम्प्लीफ़ायर डिज़ाइन नहीं।